#強誘電体メモリ
次世代メモリデバイスを支える新素材の開発に成功#産業技術総合研究所#GaScN#強誘電体メモリ

IoTやAI時代の到来で低消費電力が求められる中、産総研は強誘電体メモリ用の新材料GaScNを開発。電圧が大幅に低下することが期待されています。
次世代メモリデバイスを支える新素材の開発に成功
IoTやAI時代の到来で低消費電力が求められる中、産総研は強誘電体メモリ用の新材料GaScNを開発。電圧が大幅に低下することが期待されています。
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December 4, 2024 at 5:12 AM