Advanced doping strategies for silicon carbide devices
Do., 16. Apr. 2026 um 11:00
ETH Zurich
ETH Zürich, 130, Binzmühlestrasse, Oerlikon, Kreis 11, Zürich, Bezirk Zürich, Zürich, 8050, Schweiz/Suisse/Svizzera/Svizra
Eintritt frei
Drinnen
Beschreibung
Promotionsverteidigung mit Präsentation fortschrittlicher Dotierungsstrategien für Siliziumkarbid-Bauelemente, veranstaltet an der ETH Zurich. Der Vortrag untersucht experimentelle Methoden, Bauelementleistung und Materialengineering in Halbleitern mit breiter Bandlücke und liefert Einblicke in die Leistungselektronik.
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